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供應(yīng)ROHM SiC功率器件：SiC肖特基勢(shì)壘二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊

深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家專注于電子元器件供應(yīng)鏈服務(wù)的綜合性企業(yè)。公司擁有超過100萬種電子元器件的庫存優(yōu)勢(shì)型號(hào)，能夠快速響應(yīng)客戶需求；建立了覆蓋深圳、香港等地的倉儲(chǔ)物流網(wǎng)絡(luò)，支持"當(dāng)日下單、次日發(fā)貨"的高效交付模式。

主要經(jīng)營：集成電路IC、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)芯片、藍(lán)牙芯片、汽車芯片、人工智能IC、以太網(wǎng)IC、內(nèi)存芯片、傳感器、IGBT模塊等一系列產(chǎn)品。

ROHM SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品線

碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SiC SBD)作為ROHM SiC功率器件家族的重要成員，以其零反向恢復(fù)電流和優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性在高效電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。與傳統(tǒng)硅基快恢復(fù)二極管(FRD)相比，ROHM SiC SBD在開關(guān)損耗和高溫性能方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，特別適用于高頻開關(guān)電源、光伏逆變器和電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用場(chǎng)景。

ROHM SiC SBD的典型應(yīng)用包括：

PFC(功率因數(shù)校正)電路：利用SiC SBD的高頻特性，可顯著提升PFC級(jí)效率，減少系統(tǒng)體積

太陽能逆變器：在MPPT(最大功率點(diǎn)跟蹤)和DC-AC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)降低導(dǎo)通損耗

電動(dòng)汽車OBC(車載充電機(jī))：提高充電效率，減小散熱系統(tǒng)體積和重量

服務(wù)器電源：實(shí)現(xiàn)鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，降低數(shù)據(jù)中心運(yùn)營成本

ROHM SiC MOSFET技術(shù)特點(diǎn)與供應(yīng)優(yōu)勢(shì)

ROHM SiC MOSFET代表了功率半導(dǎo)體技術(shù)的尖端水平，與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，ROHM SiC MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))、更高的開關(guān)頻率和優(yōu)異的高溫工作能力，系統(tǒng)效率可提升至98%以上。

SiC MOSFET器件特別適合應(yīng)用于：

高頻開關(guān)電源：支持MHz級(jí)開關(guān)頻率，大幅減小無源元件體積

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)：提高能效等級(jí)，降低系統(tǒng)運(yùn)行成本

新能源發(fā)電系統(tǒng)：提升光伏/風(fēng)電變流器的能源轉(zhuǎn)換效率

激光雷達(dá)系統(tǒng)：實(shí)現(xiàn)快速精準(zhǔn)的功率脈沖控制

ROHM SiC功率模塊的集成化解決方案

對(duì)于高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景，ROHM全SiC功率模塊，將多個(gè)SiC MOSFET和SiC SBD集成在單一封裝內(nèi)，提供更完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案。這些模塊采用先進(jìn)的低電感封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)部互連設(shè)計(jì)，可最大程度發(fā)揮SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)。

ROHM全SiC功率模塊的主要特點(diǎn)包括：

超高開關(guān)速度：減少開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率

高溫工作能力：結(jié)溫耐受達(dá)175°C，適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境

緊湊型設(shè)計(jì)：功率密度較硅基模塊提高30%以上

簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)：集成驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能，減少外圍元件